Melyek a LED-es epitaxiális lapkák növekedésének technológiái?

1. Folyadékfázisú epitaxiális növekedési módszer:főleg vörös és zöld fénykibocsátó dióda epitaxiás technológiához használják

2. Gázfázisú epitaxiális növekedési módszer:főként sárga és narancssárga fénykibocsátó dióda epitaxiális technológiához használják, például gallium-arzenid foszfor (GaAsP) anyagok növesztéséhez

3. kétlépcsős növekedési folyamat:az általánosan használt eljárások jelenlegi kereskedelmi gyártása, de vannak epitaxiális lapka egyenletességi problémák, a fejlesztési tendencia magában foglalja a megnövekedett terhelést és az egylapkás berendezések magas fokú automatizálását

4. Hidrid gőzfázisú epitaxiális lapka (HVPE) technológia:gyorsan képes vastag filmeket növeszteni alacsony bithiba-sűrűséggel, de nehéz pontosan szabályozni a filmvastagságot, és korrozív hatású a berendezésekre.

5. Szelektív epitaxiális ostya növesztés vagy laterális epitaxiális ostya növesztési technológia:fotolitográfiával és maratási technológiával maszkréteg kialakítására, a bithiba sűrűségének további csökkentésére és a kristály minőségének javítására.